SILICIO- DALLA SABBIA AI COMPUTER

DROGAGGIO DEI SEMICONDUTTORI

E' possibile modificare la conducibilità dei semiconduttori per mezzo del doping (in italiano drogaggio). Per aumentare la quantità di elettroni liberi si introducono  impurità di un elemento pentavalente come l'arsenico, che ha 5 elettroni di valenza. Il quinto elettrone non riesce a formare un legame covalente e rimane quindi libero. La percentuale delle impurità, introdotte artificialmente, è 1 su 10 milioni, quindi così bassa da non modificare le altre caratteristiche del materiale.

Per aumentare la quantità di lacune libere si introducono impurità di un elemento trivalente come il boro, che ha 3 elettroni di valenza. Il quarto elettrone di uno degli atomi di silicio adiacenti a quello di boro non riesce a formare un legame covalente e si crea quindi una lacuna. La conduzione nei semiconduttori drogati, conduzione estrinseca, dipende dal tipo di cariche prevalente in base al drogaggio, di tipo n se prevalgono gli elettroni, p se prevalgono le lacune. La conducibilità estrinseca è proporzionale al drogaggio.